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2月2日，臺(tái)積電官方公布2nm制程已于去年第四季度完成量產(chǎn)，移動(dòng)芯片行業(yè)正式進(jìn)入2nm時(shí)代。聯(lián)發(fā)科首款2nm旗艦芯片天璣9600定檔今年9月22日發(fā)布，核心性能直接對標(biāo)蘋果A20系列芯片，該芯片將由iPhone18系列首發(fā)搭載。聯(lián)發(fā)科在去年9月完成天璣9600的設(shè)計(jì)流片，年內(nèi)啟動(dòng)大規(guī)模量產(chǎn)。相比N3E制程，臺(tái)積電2nm工藝邏輯密度提升1.2倍，同功耗場景性能提升18%，同運(yùn)行速度下功耗降低36%，

2月2日，臺(tái)媒工商時(shí)報(bào)消息，蘋果M6芯片確定采用臺(tái)積電2nmN2工藝，不跟進(jìn)升級(jí)N2P版本，核心方向轉(zhuǎn)向架構(gòu)升級(jí)與成本管控，依托自研架構(gòu)設(shè)計(jì)能力補(bǔ)足工藝差異。高通、聯(lián)發(fā)科計(jì)劃優(yōu)先搭載N2P工藝，試圖拉高旗艦SoC主頻，在參數(shù)層面對標(biāo)蘋果A20與A20Pro系列芯片。同功耗環(huán)境下，N2P相對N2的性能增益僅為5%，提升空間有限。蘋果已拿下臺(tái)積電首批2nmN2產(chǎn)能半數(shù)以上份額，無需更換工藝即可保障供應(yīng)

1月8日，科技媒體Tom'sHardware發(fā)布博文披露，特斯拉首席執(zhí)行官埃隆?馬斯克在接受《Moonshots》采訪時(shí)拋出驚人構(gòu)想：計(jì)劃打造名為TeraFab的超級(jí)工廠，不僅要實(shí)現(xiàn)2nm制程芯片自主生產(chǎn)，更要打破行業(yè)慣例，讓工廠里能“一邊抽雪茄、一邊吃漢堡”。這一言論的核心是對芯片制造核心標(biāo)準(zhǔn)“潔凈室”的直接挑戰(zhàn)。作為芯片制造的“產(chǎn)房”，潔凈室需通過精密過濾系統(tǒng)嚴(yán)控灰塵、微生物等懸浮顆粒，因?yàn)?

1月5日，據(jù)臺(tái)媒《自由財(cái)經(jīng)》1月2日報(bào)道，臺(tái)積電2nm（N2）先進(jìn)制程量產(chǎn)初期月產(chǎn)能鎖定3.5萬片，到2026年底有望飆升至14萬片/月，這一目標(biāo)遠(yuǎn)超此前市場預(yù)估的10萬片/月，彰顯臺(tái)積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域擴(kuò)產(chǎn)的決心與力度。目前，臺(tái)積電2nm產(chǎn)能主要依托新竹Fab20Phase1和高雄Fab22Phase1兩座超級(jí)晶圓廠。按照規(guī)劃，這兩座工廠的第二階段（Phase2）產(chǎn)線均將于2026年內(nèi)正式投產(chǎn)，且

12月25日，日本半導(dǎo)體設(shè)備巨頭東京威力科創(chuàng)（TEL）突發(fā)重大人事調(diào)整，其臺(tái)灣子公司董事長、總裁、副總裁全部換任，引發(fā)行業(yè)震動(dòng)。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，此次人事巨震與TEL卷入臺(tái)積電2nm制程竊密案直接相關(guān)，該公司已遭臺(tái)灣地區(qū)法院起訴并被求處1.2億元巨額賠償。根據(jù)公告，TEL臺(tái)灣子公司新任董事長將由長久保達(dá)也接任，總裁一職由TEL歐洲全球銷售本部本部長仲間誠二出任，同時(shí)增設(shè)資深執(zhí)行副總裁崗位，由東京威力科

全球移動(dòng)芯片行業(yè)迎來里程碑突破，三星正式推出全球首款量產(chǎn)2nm移動(dòng)SoC芯片Exynos2600，基于先進(jìn)的GAA（環(huán)繞柵極）工藝打造，將首發(fā)搭載于明年推出的GalaxyS26系列旗艦設(shè)備，率先拉開2nm手機(jī)時(shí)代序幕。這款10核ARM架構(gòu)芯片性能全面躍升，CPU性能較前代提升39%，NPU算力暴漲113%，可高效處理大規(guī)模設(shè)備端AI任務(wù)；GPU采用最新Xclipse設(shè)計(jì)，圖形性能翻倍，光線追蹤能力

11月22日，手機(jī)芯片圈傳來重磅消息：三星明年上半年登場的GalaxyS26系列，將搭載全球首款2nm手機(jī)芯片——Exynos2600，更關(guān)鍵的是，這顆旗艦芯片的采購價(jià)有望比高通驍龍8E5（第五代驍龍8至尊版）低20-30美元，性價(jià)比優(yōu)勢直接拉滿。根據(jù)曝光信息，GalaxyS26系列仍將推出GalaxyS26、S26+和S26Ultra三款機(jī)型，但芯片配置有所區(qū)分。其中，GalaxyS26與S26

半導(dǎo)體行業(yè)的人才流動(dòng)從未如此牽動(dòng)神經(jīng)。11月18日，據(jù)中國臺(tái)灣媒體LTN報(bào)道，前臺(tái)積電企業(yè)策略發(fā)展資深副總經(jīng)理羅唯仁——這位手握超15000項(xiàng)專利的半導(dǎo)體“泰斗”，已在上月底正式加盟英特爾擔(dān)任研發(fā)副總裁。而更令人關(guān)注的是，伴隨他的入職，臺(tái)積電2nm先進(jìn)制程的核心機(jī)密安全已被推至風(fēng)口浪尖。時(shí)間線的巧合充滿想象空間。今年7月底，75歲的羅唯仁從服務(wù)21年的臺(tái)積電退休；僅三個(gè)月后，他便“重返老東家”——

三星在先進(jìn)制程賽道終于迎來關(guān)鍵突破。據(jù)韓國媒體報(bào)道，其2nm制程良率已提升至50%~60%，距離年底量產(chǎn)目標(biāo)更近一步。更具沖擊力的是，中國兩大礦機(jī)巨頭比特微電子（MicroBT）與嘉楠科技（Canaan）已敲定合作，將采用三星2nm制程開發(fā)下一代礦機(jī)芯片，為三星先進(jìn)制程代工業(yè)務(wù)注入強(qiáng)心劑。作為三星晶圓代工的戰(zhàn)略級(jí)技術(shù)，2nm制程延續(xù)了3nm上率先應(yīng)用的環(huán)繞柵極（GAA）晶體管架構(gòu)，但性能與能效的實(shí)