2月3日，據報道，長鑫存儲與長江存儲同步啟動史上最大規模擴產計劃，全力縮小與三星、SK海力士等國際龍頭的差距，夯實國產存儲產業話語權。

作為中國最大DRAM廠商，長鑫存儲的擴產動作尤為激進，正于上海搭建新工廠，新增產能將達到合肥總部基地的兩至三倍。該工廠計劃2026年下半年啟動設備安裝，2027年正式投產，產品覆蓋服務器、PC、汽車電子等高端領域，精準填補國內高端DRAM空白。

同時，長鑫存儲同步在上海擴建HBM生產線，聚焦AI算力核心需求，其HBM3產品基于17nm節點開發，樣品已交付國內頭部客戶測試，力爭打破海外三巨頭壟斷格局。目前，長鑫存儲合肥、北京兩大工廠已全面滿負荷運轉，本土市場需求旺盛，產能擴張迫在眉睫。

國內頭部NAND廠商長江存儲也同步推進擴產，正在武漢建設第三座工廠，計劃2027年實現投產，且新工廠100%采用國產半導體設備，突破海外設備出口管制限制。

據悉，長江存儲已明確新廠產能規劃，除常規NAND生產外，將拿出50%產能布局DRAM制造，實現雙線發力；同時聯動本土存儲封裝企業，針對性研發生產AI計算場景所需HBM，補齊國產存儲在高端算力領域的短板，助力國內AI基礎設施自主可控。

隨著兩大巨頭擴產落地，國產存儲產能將大幅提升，有望進一步填補國內30%的高端存儲產能缺口，推動國產存儲自給率穩步提升，同時緩解全球存儲芯片短缺壓力。

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