2025年11月18日，北京——國產半導體龍頭兆易創新（GigaDevice，股票代碼603986）正式推出第三代雙電壓高性能xSPI NOR Flash產品——GD25NX系列。該系列憑借1.8V核心+1.2V I/O的創新電壓設計，可直接對接1.2V低功耗SoC，無需額外電平轉換器，一舉解決了傳統產品“功耗高、BOM成本高”的痛點，為可穿戴設備、邊緣AI、汽車電子等場景提供高效存儲方案。

作為兆易創新在雙電壓存儲領域的全新力作，GD25NX系列將“高速”與“節能”做到極致平衡。產品支持八通道SPI模式，STR與DTR時鐘頻率均達200MHz，數據吞吐量峰值突破400MB/s；寫入時間典型值僅0.12ms，扇區擦除時間27ms，相較常規1.8V八通道Flash，寫入速度提升30%，擦除速度提升10%，完美匹配1.2V SoC對快速響應的需求。

低功耗表現同樣亮眼。在八通道STR 200MHz模式下，GD25NX系列讀取電流低至16mA；DTR 200MHz模式下也僅24mA，1.2V I/O接口設計使其讀功耗較傳統1.8V產品降低50%，為依賴電池供電的可穿戴設備、便攜式AI終端等，大幅延長續航時間。

高可靠性是工業與汽車場景的核心訴求。GD25NX系列內置ECC算法與CRC校驗功能，從硬件層面保障數據傳輸與存儲的完整性，顯著延長產品使用壽命；同時支持DQS功能，為高速信號傳輸提供穩定保障，完全滿足數據中心服務器、車載信息娛樂系統等對穩定性的嚴苛要求。

“GD25NX系列的誕生，開創了低電壓與高性能兼具的SPI NOR Flash新格局。”兆易創新副總裁、存儲事業部總經理蘇如偉表示，產品設計緊貼主流SoC的低電壓接口趨勢，通過簡化電路設計提升集成度，幫客戶降低BOM成本。未來兆易創新將持續豐富該系列的容量與封裝選擇，進一步覆蓋多元應用需求。

目前，GD25NX系列提供64Mb與128Mb兩種容量，封裝涵蓋TFBGA24（8x6mm）及WLCSP（4x6 ball array），適配不同終端產品的空間需求。其中128Mb規格的GD25NX128J已開放樣片評估，64Mb規格GD25NX64J樣片也在加緊籌備中，客戶可通過當地授權銷售代表獲取技術資料與報價。

作為全球領先的Fabless芯片供應商，兆易創新已構建起存儲器、微控制器、傳感器等核心產品生態，通過ISO26262:2018 ASIL D等多項權威認證，服務網絡遍布全球。此次GD25NX系列的推出，不僅鞏固了其在存儲領域的技術優勢，更將助力下游產業打造更高效、可靠的低功耗終端產品。

免責聲明：
文章內容轉自互聯網，不代表本站贊同其觀點；
如涉及內容、圖片、版權等問題，請聯系2644303206@qq.com我們將在第一時間刪除內容！