前言：實(shí)時(shí)時(shí)鐘（Real-timeClock,簡(jiǎn)稱RTC）是一種關(guān)鍵的集成電路（IC），它為電子設(shè)備提供持續(xù)且準(zhǔn)確的時(shí)間和日期。即便設(shè)備斷電，RTC也能依靠小型備用電池確保存儲(chǔ)的時(shí)間數(shù)據(jù)不丟失。RTC的核心功能包括：精確計(jì)時(shí)與日歷管理、斷電后時(shí)間保持、時(shí)間戳，以及鬧鐘/定時(shí)器功能等。這些特性使其廣泛應(yīng)用于智能水電表、電腦、智能家居、工業(yè)控制等各類需精確時(shí)間記錄和同步的電子設(shè)備中。YXCRTC產(chǎn)品矩

Altera全新Agilex?3器件家族憑借Hyperflex?架構(gòu)與英特爾7制程工藝，重新定義FPGA能效比。該系列通過(guò)高性能AI張量模塊、12.5Gbps收發(fā)器及雙核ArmCortex-A55硬核處理器，在提升計(jì)算性能的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)功耗與成本的顯著優(yōu)化，為智能工廠、醫(yī)療影像、數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)景提供可擴(kuò)展解決方案。一、架構(gòu)革新：性能與成本的雙重突破Agilex?3基于英特爾7nm工藝打造，搭載Hype

6月12日，AMDCEO蘇姿豐在AdvancingAI大會(huì)上推出新一代AI芯片MI350系列，包含MI350與MI355兩款產(chǎn)品，以CDNA4架構(gòu)實(shí)現(xiàn)Instinct系列史上最大性能飛躍，直指英偉達(dá)GB200/B200在AI加速領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。核心規(guī)格：1850億晶體管與HBM3E內(nèi)存加持MI355作為旗艦型號(hào)，搭載1850億晶體管，配備288GBHBM3E內(nèi)存，支持FP4等新型數(shù)據(jù)格式，可在單G

6月11日消息，英偉達(dá)首款Arm架構(gòu)PC芯片“N1X”在Geekbench測(cè)試數(shù)據(jù)庫(kù)曝光，20核CPU配置與3096/18837的單核/多核跑分超越高通驍龍XElite，標(biāo)志著英偉達(dá)正式進(jìn)軍WindowsonArm平臺(tái)，與高通展開(kāi)正面競(jìng)爭(zhēng)。技術(shù)規(guī)格：20核Arm架構(gòu)對(duì)標(biāo)頂級(jí)AIPC芯片測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，N1X基于Armv8指令集（或?yàn)闄z測(cè)誤差，實(shí)際可能采用Armv9），搭載20核CPU（推測(cè)為10×C

ADI推出的ADTF3175ToF傳感器模塊，以100萬(wàn)像素高分辨率與±5mm深度精度，解決傳統(tǒng)ToF傳感器在工業(yè)、機(jī)器人等場(chǎng)景中的分辨率不足與檢測(cè)范圍受限問(wèn)題。作為完整的飛行時(shí)間模塊，其集成度與性能優(yōu)勢(shì)適用于機(jī)器視覺(jué)、AR系統(tǒng)及樓宇自動(dòng)化等高端應(yīng)用。傳統(tǒng)ToF傳感器的核心挑戰(zhàn)傳統(tǒng)ToF傳感器在工業(yè)與高精度場(chǎng)景中面臨多重瓶頸：分辨率不足：難以捕捉小物體細(xì)節(jié)，限制AI圖像處理精度；檢測(cè)范圍窄：需多傳

瑞芯微電子旗下AI音頻處理芯片RK2118G-YX近日通過(guò)DTSVirtual:X和DTS:X兩項(xiàng)核心認(rèn)證，標(biāo)志著其在高端音頻處理技術(shù)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。該芯片將為家庭影院、Soundbar及車載娛樂(lè)系統(tǒng)提供沉浸式音效解決方案。認(rèn)證技術(shù)亮點(diǎn)解析：DTSVirtual:X認(rèn)證：專為Soundbar/AVR設(shè)計(jì)，通過(guò)虛擬環(huán)繞算法在有限揚(yáng)聲器下重構(gòu)三維聲場(chǎng)，覆蓋上混、動(dòng)態(tài)控制等核心模塊。DTS:X認(rèn)證：

7月16日消息，博通（Broadcom）宣布，其突破性的以太網(wǎng)交換機(jī)TomahawkUltra正式上市。這款交換機(jī)旨在適應(yīng)高性能計(jì)算（HPC）和人工智能（AI）工作負(fù)載，提供超低延遲、海量吞吐量和無(wú)損網(wǎng)絡(luò)性能。TomahawkUltra并非追求通用網(wǎng)絡(luò)的最大吞吐量，而是專注于小數(shù)據(jù)包和低延遲，旨在取代InfiniBand和NVLink等技術(shù)。它的延遲為250納秒，在51.2Tbps的吞吐量下，能實(shí)

全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）供應(yīng)商英諾賽科（Innoscience）宣布，推出兩款基于100V雙冷卻En-FCLGA封裝的新產(chǎn)品——INN100EA050DAD和INN100EA070DAD。這兩款產(chǎn)品可助力太陽(yáng)能微型逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS，直流輸入）及最大功率點(diǎn)跟蹤（MPPT）優(yōu)化器實(shí)現(xiàn)最高效率。產(chǎn)品概況與封裝優(yōu)勢(shì)兩款新品INN100EA050DAD和INN100EA070DAD，采用與此前發(fā)布

8月4日，博通正式發(fā)布下一代Jericho網(wǎng)絡(luò)芯片——Jericho4。這款芯片的核心使命是打破數(shù)據(jù)中心的物理距離限制，可穩(wěn)定連接相距超60英里（96.5公里）的兩地?cái)?shù)據(jù)中心，同時(shí)大幅提升人工智能計(jì)算的效率，成為支撐大規(guī)模AI部署的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施。技術(shù)突破：從流量加速到安全加固Jericho4并非簡(jiǎn)單的迭代升級(jí)，而是集成了多項(xiàng)突破性功能。其核心優(yōu)勢(shì)在于顯著提升大型網(wǎng)絡(luò)的流量速度，無(wú)論是數(shù)據(jù)中心內(nèi)部的

隨著工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人及汽車系統(tǒng)日趨精密，經(jīng)認(rèn)證的功能安全和實(shí)時(shí)控制性能成為剛需。Altera與MathWorks聯(lián)合推出的雙軸電機(jī)控制系統(tǒng)，以Agilex?5SoCFPGA為核心，通過(guò)TüV認(rèn)證達(dá)到Cat.3PLd安全等級(jí)，融合基于模型的開(kāi)發(fā)方式與靈活可移植的安全架構(gòu)，為工業(yè)控制領(lǐng)域平衡安全與效能提供硬核技術(shù)支撐。?基于模型的設(shè)計(jì)流程?系統(tǒng)開(kāi)發(fā)以基于模型的設(shè)計(jì)為核心：Altera的DSPBuil

思瑞浦3PEAK近期發(fā)布一款專為I3C應(yīng)用打造的電平轉(zhuǎn)換芯片TPT29606，不僅支持開(kāi)漏（Open-Drain）與推挽（Push-Pull）兩種信號(hào)傳輸模式，還能向下兼容I2C、SPI等主流應(yīng)用場(chǎng)景。其最低0.72V的供電電壓與最高26Mbps的傳輸速率，讓芯片可廣泛適配服務(wù)器、路由器、存儲(chǔ)設(shè)備、PC等多領(lǐng)域的電平轉(zhuǎn)換需求，填補(bǔ)了低壓高速總線轉(zhuǎn)換的市場(chǎng)空白。一、TPT29606四大核心產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)1

9月1日，成都華微電子科技股份有限公司正式官宣，成功推出國(guó)產(chǎn)首顆4通道12位40GSPS高速高精度射頻直采ADC芯片——HWD12B40GA4。這一突破不僅再次刷新國(guó)產(chǎn)ADC的性能上限，更標(biāo)志著我國(guó)在高端射頻直采領(lǐng)域已躋身國(guó)際領(lǐng)先行列。在高速信號(hào)處理領(lǐng)域，射頻直采（RFDirectSampling）技術(shù)堪稱“皇冠上的明珠”。它能直接對(duì)高頻射頻信號(hào)進(jìn)行采樣，省去傳統(tǒng)方案中復(fù)雜的混頻、中頻處理環(huán)節(jié)，既

QLCNANDUFS存儲(chǔ)器正成為行業(yè)焦點(diǎn)，相比傳統(tǒng)TLC架構(gòu)，它兼具更高存儲(chǔ)密度與更高性價(jià)比，但對(duì)存儲(chǔ)控制器和固件的要求也更嚴(yán)苛。依托主控芯片技術(shù)的長(zhǎng)期積累與研發(fā)投入，晶存旗下妙存科技推出新品——QLCNANDUFS2.2存儲(chǔ)器。值得一提的是，妙存科技已于去年底率先發(fā)布UFS控制器及模組產(chǎn)品，此次新品旨在為終端市場(chǎng)提供“性能+高性價(jià)比”雙優(yōu)的存儲(chǔ)方案。妙存QLCNANDUFS2.2：四大核心優(yōu)勢(shì)1

Microchip（微芯科技）近日宣布推出新一代LAN9645xF和LAN9645xS千兆以太網(wǎng)交換機(jī)，以多端口配置與功能選擇，為客戶提供高可靠性、高靈活性的通信方案。以太網(wǎng)技術(shù)能為工業(yè)設(shè)備實(shí)時(shí)連接與控制提供高速可靠通信，而該系列交換機(jī)支持時(shí)間敏感網(wǎng)絡(luò)（TSN）等協(xié)議，可確保在嚴(yán)苛工業(yè)環(huán)境中無(wú)縫集成，進(jìn)一步強(qiáng)化工業(yè)場(chǎng)景的連接能力。一、多配置+高靈活，適配不同部署需求LAN9645xF/S針對(duì)具體應(yīng)

AMD近日推出EPYC?（霄龍）嵌入式4005系列處理器，專為提升實(shí)時(shí)計(jì)算性能、優(yōu)化成本效率設(shè)計(jì)，可延長(zhǎng)網(wǎng)絡(luò)安全設(shè)備與入門(mén)級(jí)工業(yè)邊緣服務(wù)器的部署生命周期。該系列基于成熟AMD服務(wù)器技術(shù)打造，核心功能可滿足低時(shí)延、高效設(shè)計(jì)、長(zhǎng)壽命及高性價(jià)比的獨(dú)特應(yīng)用需求，憑借可擴(kuò)展性提供領(lǐng)先每瓦性能、先進(jìn)安全與連接功能、高頻核心（配大容量L3緩存）及更長(zhǎng)產(chǎn)品生命周期。一、Zen5架構(gòu)加持，4nm芯粒實(shí)現(xiàn)高性能搭載高

隨著智能冰箱對(duì)能效、壽命及成本控制的需求提升，無(wú)電解電容變頻控制技術(shù)應(yīng)用日益受關(guān)注。該技術(shù)用薄膜電容替代傳統(tǒng)電解電容，能顯著降本、延長(zhǎng)壽命，且無(wú)需復(fù)雜有源PFC電路，即可抑制單相交流輸入諧波電流，簡(jiǎn)化系統(tǒng)架構(gòu)、提高可靠性。為滿足冰箱壓縮機(jī)“低諧波電流+高功率因數(shù)+低成本”需求，極海推出無(wú)電解電容變頻控制參考方案：以1顆APM32F035電機(jī)控制專用MCU、3顆GHD1620T電機(jī)專用柵極驅(qū)動(dòng)器為核

瑞芯微以SoC芯片為核心業(yè)務(wù)支柱，同時(shí)布局電源管理芯片、接口芯片等數(shù)模混合產(chǎn)品，形成覆蓋邊緣側(cè)、端側(cè)AIoT智能硬件的完整產(chǎn)品矩陣，是國(guó)內(nèi)AIoT產(chǎn)品線布局最豐富的廠商之一。其產(chǎn)品廣泛滲透多領(lǐng)域：汽車電子（智能座艙、車載系統(tǒng)）、機(jī)器視覺(jué)、工業(yè)應(yīng)用（邊緣計(jì)算、智能制造）、教育辦公、商業(yè)金融、消費(fèi)電子及智能家居，且深度服務(wù)運(yùn)營(yíng)商客戶，滿足不同場(chǎng)景的智能化需求。一、端側(cè)算力協(xié)處理器RK182X系列：突破

一、行業(yè)需求背景：高壓精密采集領(lǐng)域的技術(shù)痛點(diǎn)與ADI的解決方案?隨著工業(yè)自動(dòng)化、新能源發(fā)電、半導(dǎo)體測(cè)試及智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的快速發(fā)展，“高壓場(chǎng)景下的多通道精密同步采樣”成為核心技術(shù)需求。當(dāng)前市場(chǎng)中，傳統(tǒng)高壓采集方案常面臨三大痛點(diǎn)：一是多通道采集存在相位差，導(dǎo)致電能質(zhì)量分析、功率計(jì)算等場(chǎng)景的精度偏差；二是高壓信號(hào)與微小信號(hào)共存時(shí)，動(dòng)態(tài)范圍不足，難以同時(shí)捕捉兩類信號(hào)；三是系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜，需額外搭配衰減器、放

在萬(wàn)物互聯(lián)浪潮加速席卷的當(dāng)下，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備正朝著多場(chǎng)景融合、低功耗長(zhǎng)續(xù)航、高安全高兼容的方向快速演進(jìn)。這一趨勢(shì)對(duì)核心芯片提出了更嚴(yán)苛的要求——既需具備強(qiáng)大的性能支撐多協(xié)議連接，又要在功耗控制上做到極致，同時(shí)還要兼顧開(kāi)發(fā)靈活性與數(shù)據(jù)安全性。作為深耕無(wú)線連接領(lǐng)域多年的領(lǐng)軍企業(yè)，泰凌微電子憑借對(duì)物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)需求的深刻洞察，重磅推出TL321X系列RISC-V架構(gòu)SoC，以“全能戰(zhàn)將”的定位，為智能家居、可穿

簡(jiǎn)介AnalogDevicesInc.DC1877A演示電路板是一款評(píng)估板，具有基于LTC3890A同步降壓直流-直流控制器的500mA輸出直流-直流電源示例電路。LTC3630A采用BurstMode?工作模式實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行，內(nèi)置高側(cè)和低側(cè)功率開(kāi)關(guān)。DC1877A演示板提供1.8V、3.3V、5V的跳線選擇輸出電壓，以及額外電壓選項(xiàng)。LTC3630A具有內(nèi)部軟啟動(dòng)功能，可提供更長(zhǎng)的軟啟動(dòng)時(shí)間。規(guī)范

1靜電的產(chǎn)生靜電是一種客觀存在的自然現(xiàn)象，產(chǎn)生的方式多種，如接觸、摩擦、電器間感應(yīng)等。靜電的特點(diǎn)是長(zhǎng)時(shí)間積聚、高電壓、低電量、小電流和作用時(shí)間短的特點(diǎn)。人體自身的動(dòng)作或與其他物體的接觸，分離，摩擦或感應(yīng)等因素，可以產(chǎn)生幾千伏甚至上萬(wàn)伏的靜電。2行業(yè)的困擾ESD（靜電放電）對(duì)電品造成的破壞和損傷有突發(fā)性損傷和潛在性損傷兩種。所謂突發(fā)性損傷，指的是器件被嚴(yán)重?fù)p壞，功能喪失。這種損傷通常能夠在生產(chǎn)過(guò)程中

在車載T-BOX中，MCU和SoC之間必然存在數(shù)據(jù)通信，本篇文章將分享一種基于SPI通信方式方案。SoC作為主機(jī)，MCU作為從機(jī)，配置模式如下所示：通信模式：模式0；通信速率：4.8Mbps；數(shù)據(jù)存儲(chǔ)：小端模式；數(shù)據(jù)長(zhǎng)度：每包256Byte。MCU和SoC物理連接如圖所示：名詞解析：MISO：主設(shè)備輸入從設(shè)備輸出；MOSI：主設(shè)備輸出從設(shè)備輸入；SCLK：時(shí)鐘信號(hào)，主設(shè)備產(chǎn)生；CS：片選，主設(shè)備控

如果有一個(gè)可以彎曲和轉(zhuǎn)動(dòng)的機(jī)械臂，它的每個(gè)軸都配備了十分精準(zhǔn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、傳感器或機(jī)器視覺(jué)，仿佛在演奏一曲運(yùn)動(dòng)交響樂(lè)。但如果沒(méi)有“指揮”告訴系統(tǒng)的每個(gè)器件在何時(shí)該如何執(zhí)行各自的操作，那么機(jī)械臂可能會(huì)發(fā)出刺耳的碰撞聲和金屬摩擦聲。在之前的實(shí)時(shí)控制系列文章中，我們探討了用于感應(yīng)、驅(qū)動(dòng)和處理的實(shí)時(shí)控制(RTC)儀器。而要將它們貫穿起來(lái)需要借助“指揮”：實(shí)時(shí)通信。在本文中，我們將以基于實(shí)時(shí)通信和控制的工業(yè)

SEMIP是一種比較特殊的IP。它的基本工作就是不停地后臺(tái)掃描檢測(cè)FPGA配置RAM中的數(shù)據(jù)，一旦發(fā)現(xiàn)這些數(shù)據(jù)與預(yù)期值不符，即發(fā)出警告或者盡可能的修正。這個(gè)持續(xù)不斷的RAM掃描動(dòng)作帶來(lái)的負(fù)面影響，除了一些后臺(tái)資源的占用，就是產(chǎn)生了一定量噪聲。噪聲的沖突絕大多數(shù)xilinx設(shè)計(jì)里面SEM的噪聲完全可以忽略不計(jì)；但是仍有部分高速應(yīng)用比如HSSIO和memory，可能會(huì)受到一定干擾。比較典型的一個(gè)例子是

在開(kāi)發(fā)以MCU單片機(jī)為核心的嵌入式系統(tǒng)時(shí)，當(dāng)軟件程序?qū)?shù)據(jù)寫(xiě)入預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)（通常為固定長(zhǎng)度的緩沖區(qū)）以外的程序調(diào)用堆棧的存儲(chǔ)地址范圍時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生堆棧。緩沖區(qū)溢出。這幾乎肯定會(huì)破壞附近的數(shù)據(jù)，甚至改變返回函數(shù)。如果是故意的，這就是我們所知的堆棧粉碎。防止堆棧緩沖區(qū)溢出的一種方法是使用堆棧金絲雀，它的命名是因?yàn)樗c在煤礦中使用金絲雀檢測(cè)有毒氣體相似。目前，在所有以IAREmbeddedWorkbenc

1.步進(jìn)電機(jī)芯片步距誤差是指空載時(shí)實(shí)測(cè)的步距角與理論的步距角之差。它反映了步進(jìn)電動(dòng)機(jī)方案角位移的精度。國(guó)產(chǎn)步進(jìn)電動(dòng)機(jī)的步距誤差一般在±10′～±30′范圍內(nèi)，精度較高的步進(jìn)電動(dòng)機(jī)可達(dá)±2′～±5′。2.最大靜轉(zhuǎn)矩是指步進(jìn)電動(dòng)機(jī)在某相始終通電而處于靜止不動(dòng)狀態(tài)時(shí)，所能承受的最大外加轉(zhuǎn)矩，亦即所能輸出的最大電磁轉(zhuǎn)矩。它反映了步進(jìn)電動(dòng)機(jī)方案的制動(dòng)能力和低速步進(jìn)運(yùn)行時(shí)的負(fù)載能力。3.步進(jìn)電機(jī)芯片啟動(dòng)矩頻特

消費(fèi)類芯片和汽車芯片簡(jiǎn)單分類三種：能用芯片：135-28nm，對(duì)應(yīng)3G手機(jī)、家電、消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)夠用芯片：14-7nm含chiplet，對(duì)應(yīng)4G手機(jī)、L2輔助駕駛、普通座艙好用芯片：7-2nm的尖端工藝，對(duì)應(yīng)5G手機(jī)、L5無(wú)人駕駛、高級(jí)座艙美國(guó)芯片法案的目的是將中國(guó)卡在能用芯片中，而為了實(shí)現(xiàn)從能用到夠用的進(jìn)階，有三種途徑：（1）延續(xù)摩爾定律的原生非A硅制程；（2）轉(zhuǎn)換到第三/四代半導(dǎo)體材料；（3）超

隨著智能家居的普及，家庭中連接無(wú)線設(shè)備的數(shù)量也在大幅增加，導(dǎo)致2.4GHz和5GHz頻段過(guò)度擁塞。Wi-Fi6技術(shù)被稱為“室內(nèi)5G”，網(wǎng)速超快；Wi-Fi6E則是Wi-Fi6的加強(qiáng)擴(kuò)展版。Wi-Fi6E與Wi-Fi6之間最大區(qū)別在于頻段，Wi-Fi6頻段是2.4GHz和5GHz，Wi-Fi6E則是在兩個(gè)頻段外又新增了一個(gè)6GHz頻段，為的是增加在線流量的快速通道。瑞薩推出的Wi-Fi6/6E四頻段

當(dāng)您設(shè)計(jì)新電力電子產(chǎn)品時(shí)，您的目標(biāo)任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個(gè)必須實(shí)現(xiàn)的特性。SiCMOSFET是一種能夠滿足這些目標(biāo)的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于SiC半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)電源，其應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(EV)充電站等。為何選擇SiC？為了證明您選擇SiCMOSFET作為開(kāi)關(guān)模式設(shè)計(jì)的首選功率半導(dǎo)體是正確的，請(qǐng)考慮

由無(wú)源元件（電阻、電容、電感）組成的濾波器叫無(wú)源濾波器；由有源元件（比如運(yùn)放，它內(nèi)部需要提供一定的電壓才能正常工作）組成的濾波器叫有源濾波器。RC低通無(wú)源濾波器，如圖：當(dāng)信號(hào)頻率趨于零時(shí)，電容的容抗趨于無(wú)窮大，故通帶放大倍數(shù)為Aup=Uo/Ui=1電壓放大倍數(shù)Au=Uo/Ui=（1/jwc）/（R+1/jwc）=1/（1+jwRc）令Fp=1/（2πRC）=1/（2πτ），則Au=1/（1+jf/

隨著5G、人工智能（AI）、智能汽車等新興應(yīng)用的快速更迭，市場(chǎng)對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在速度、功耗、容量、可靠性等層面提出了更高要求，存儲(chǔ)器技術(shù)也在不斷地面臨著新的挑戰(zhàn)。在當(dāng)前主流的存儲(chǔ)器技術(shù)中，DRAM雖然速度快，但功耗大、容量低、成本高，且斷電無(wú)法保存數(shù)據(jù)，使用場(chǎng)景受限；NANDFlash讀寫(xiě)速度低，存儲(chǔ)密度明顯受限于工藝制程。為了突破DRAM、NANDFlash等傳統(tǒng)存儲(chǔ)器的局限，存儲(chǔ)器技術(shù)壁壘不斷被突破

常規(guī)的電路方案1.使用ADI和TI公司的高集成ADC芯片完成采集。電路需要少量的外圍無(wú)源元件，先從ADC讀取采樣值，再在MCU中進(jìn)行查表?yè)Q算，將采樣值換算成溫度值。2.使用國(guó)產(chǎn)的信號(hào)鏈芯片自行搭建。隨著國(guó)內(nèi)基礎(chǔ)模擬信號(hào)鏈芯片的日益完善，考慮使用國(guó)產(chǎn)器件完成同等性能的電路，如圖1。這樣能降低物料供應(yīng)鏈的風(fēng)險(xiǎn)、進(jìn)一步優(yōu)化成本，實(shí)現(xiàn)溫度采集，這類基礎(chǔ)物理量采集電路的自主可控。圖1電路主要由24位SD型A

低相位噪聲頻率綜合器NFS21-19頻率綜合器是現(xiàn)代電子系統(tǒng)的重要組成部分，在通訊、雷達(dá)、電子對(duì)抗、遙控遙測(cè)和儀器儀表等眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。尤其是在衛(wèi)星導(dǎo)航通信、5G6G、量子通訊、電子戰(zhàn)等系統(tǒng)中，頻率綜合器一直都是射頻系統(tǒng)的核心部件。隨著電子信息技術(shù)的發(fā)展，電子系統(tǒng)的高性能和小型化已經(jīng)成為了一個(gè)必然的發(fā)展趨勢(shì)，而頻率綜合器的性能提升和小型化將是實(shí)現(xiàn)整個(gè)電子系統(tǒng)性能提升的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。在目前國(guó)

理想電容只存在于教科書(shū)中，現(xiàn)實(shí)世界的每個(gè)電容器都會(huì)因其實(shí)體結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生額外的復(fù)雜性。由介電層(dielectriclayer)隔開(kāi)的兩個(gè)極板(plate)與導(dǎo)線或金屬箔(metalfoil)串聯(lián)，即可實(shí)現(xiàn)實(shí)際的連接；這兩種金屬導(dǎo)體會(huì)導(dǎo)入等效串聯(lián)電感(ESL)以及等效串聯(lián)電阻(ESR)。總而言之，實(shí)體電容就是一種串聯(lián)諧振電路(seriestankcircuit)，具有串聯(lián)諧振頻率以及受串聯(lián)電阻影響的串

本文將探討在設(shè)計(jì)降壓（buck或step-down）變換器時(shí)哪些參數(shù)最重要，以及如何將其與可用的最佳電感配對(duì)。我們還將學(xué)習(xí)如何計(jì)算基本參數(shù)，并解釋開(kāi)關(guān)模式電源IC和電感的一些參數(shù)要求，包括紋波電流、電感(L)、飽和電流(ISAT)和額定電流(IR)。當(dāng)今電子行業(yè)近10年來(lái)，消費(fèi)者越來(lái)越期望技術(shù)使他們的生活更輕松。與此同時(shí)，普通家庭的電子產(chǎn)品數(shù)量也在增加。不斷增多的連接和電子設(shè)備選擇意味著這些設(shè)備必

本文檔重點(diǎn)介紹光耦合器，包括其基本原理，操作和常見(jiàn)應(yīng)用。為了最大程度地提高設(shè)備效率，建議使用一些技術(shù)。還討論了將LED用作輸入的情況以及用于所述拓?fù)涞南鄳?yīng)處理技術(shù)。簡(jiǎn)介光耦合器是光源和光敏檢測(cè)器的組合。在光耦合器或光子耦合對(duì)中，耦合是通過(guò)在透明絕緣間隙的一側(cè)生成光，并在間隙的另一側(cè)檢測(cè)到光而實(shí)現(xiàn)的，而兩側(cè)之間沒(méi)有電連接（少量的光耦合器除外）耦合電容）。在飛兆半導(dǎo)體的光耦合器中，光是由紅外發(fā)光二極管

場(chǎng)效應(yīng)管是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是什么？場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)有哪些？場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是什么場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是什么場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是什么場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說(shuō)，就是“漏極